Neubiberg (www.aktiencheck.de) - Der Technologiekonzern Infineon Technologies AG (ISIN DE0006231004/ WKN 623100) hat ein Lizenzabkommen mit dem US-Halbleiterspezialisten Fairchild Semiconductor International Corp. (ISIN US3037261035/ WKN 924930) geschlossen.

Wie aus einer am Dienstag veröffentlichten Pressemitteilung hervorgeht, wurde zwischen beiden Herstellern eine Lizenzvereinbarung über die Verwendung von Infineons MOSFET-Gehäusetechnologie H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead) geschlossen, einem TO-Leadless-Gehäuse gemäß dem JEDEC-Standard (MO-299). Das Gehäuse eignet sich für Hochstrom-Anwendungen in der Automobilelektronik, beispielsweise das Batterie-Management für Hybrid-Fahrzeuge, die elektrische Servolenkung oder die aktive Lichtmaschine sowie andere Anwendungen mit hoher Last. Das TO-Leadless-Gehäuse ist das erste, das für Ströme bis zu 300 A eingesetzt werden kann. Darüber hinaus sind seine Abmessungen im Vergleich zu heutigen D²PAK-Gehäusen etwa 20 Prozent geringer und seine Gehäusehöhe beträgt etwa nur die Hälfte.

Fairchild wird die TO-Leadless-Gehäusetechnologie für seine neuesten MOSFET-Lösungen einsetzen. Erste Muster sollen in der zweiten Jahreshälfte 2012 verfügbar sein und die Volumenproduktion soll voraussichtlich ab Mitte 2013 beginnen.

"Die Automobilbranche profitiert von dieser Vereinbarung durch eine breitere Zuliefererbasis für Komponenten der Hochstrom-Leistungselektronik, deren Abmessungen, Effizienz und Leistung optimiert sind", sagte Jochen Hanebeck, President der Automotive Division bei Infineon Technologies AG. "Infineon ist Technologieführer bei Leistungshalbleitern fürs Fahrzeug. Unser hohes technisches Know-how schafft MOSFETs, mit denen Systemlieferanten der Automobilindustrie die Effizienz und Leistungsfähigkeit ihrer Lösungen optimieren können und nicht nur auf einen Lieferanten angewiesen sind."

Die Aktie von Infineon notiert aktuell mit einem Plus von 1,23 Prozent bei 7,60 Euro. (03.04.2012/ac/n/d)