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SINGULUS-Tochter und HZB entwickeln Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen
03.09.2008
aktiencheck.de
Kahl (Main) (aktiencheck.de AG) - Die STANGL Semiconductor Equipment AG, eine Tochter der SINGULUS TECHNOLOGIES AG (ISIN DE0007238909 / WKN 723890), und das Helmholtz Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB), entwickeln ein neues Verfahren zur Anwendung in der Produktion von Dünnschicht-Solarzellen.
Wie der im TecDAX notierte Spezialist für Optical Disc Produktionslinien am Mittwoch erklärte, stellt Dr. Allsop vom HZB das neue Verfahren auf der 23. Solarfachmesse in Valencia, Spanien vor. Das sogenannte Spray Ion Layer Gas Reaction Verfahren (ILGAR) ist eine neue Methode für die Produktion von Dünnsschicht-Solarzellen, die am HZB entwickelt und patentiert wurde. Das ILGAR Verfahren wurde zum Aufbringen von Pufferschichten aus Indiumsulfid verwendet, die in der Lage sind, das Cadmiumsulfid bei Dünnschicht-Solarzellen zu ersetzen. Die Spraytechnologie ist reproduzierbar, schnell aufzubringen und kostengünstig. STANGL wird die neue Produktionsmaschine exklusiv für ILGAR Dünnschicht-Solarzellen auf Glas und Folie vermarkten.
Die Aktie von SINGULUS notiert aktuell mit einem Minus von 1,65 Prozent bei 7,15 Euro. (03.09.2008/ac/n/t)
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